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8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

签约现场

据悉，长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

长飞先进武汉基地鸟瞰图

此外，该项目同时将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。

安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

长飞先进总裁陈重国此前提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为“世界领先的宽禁带半导体”公司。

融资方面，今年6月底，安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。

作为全国四大集成电路产业基地之一，目前，东湖高新区已聚集一批集成电路产业龙头企业，形成了存储芯片、化合物半导体芯片为两大产业方向，涵盖设计、制造、装备、材料及分销、模组等产业链关键环节的产业集群。

参考来源：安徽长飞先进半导体